Nella fase di cottura dei wafer, è proprio in questa fase che dipende il risultato finale del processo di litografia. Una variazione di temperatura di 2°C durante la cottura può influenzare le dimensioni critiche dei wafer; inoltre, una sola particella generata durante il riscaldamento può danneggiare il wafer stesso. Abbiamo progettato un sistema di riscaldamento dei wafer per eliminare queste variazioni.
Cosa è importante dal punto di vista tecnico
Riusciamo a mantenere un’omogeneità termica a livello del wafer entro i ±0,1°C su tutto il substrato, così che ogni parte del wafer riceva lo stesso trattamento termico. Il sistema funziona in ambienti puliti di classe 1–100, senza causare l’aumento della quantità di particelle presenti nell’ambiente. Inoltre, il sistema genera zero particelle durante il processo di riscaldamento. La ripetibilità della temperatura rimane entro i ±0,2°C, il che garantisce una litografia precisa. Il sistema utilizza elementi a infrarossi a lunghezza d’onda corta per permettere un controllo preciso della velocità di riscaldamento; inoltre, la zona di riscaldamento è progettata per ridurre al minimo l’emissione di gas, così da preservare l’integrità del fotoreostato.
Ecco perché questo sistema funziona bene nella litografia: la cottura “soft” serve a rimuovere i solventi e a gestire le tensioni all’interno del film; invece, la cottura “hard” garantisce una migliore adesione del film e una maggiore resistenza all’etching. Un controllo preciso in entrambi i casi porta a CD più stabili, meno difetti e un tasso di successo più elevato nel primo tentativo di stampa. Inoltre, si ottengono cicli di lavoro più rapidi, con un consumo energetico ridotto grazie a un efficiente trasferimento termico. I nostri sistemi hanno funzionato per oltre 5.000 ore, con una diminuzione del rendimento inferiore al 5%. Il vantaggio principale è un controllo preciso della larghezza delle linee tracciate sui wafer, con meno scarti.
Alcune note pratiche: durante l’installazione è necessario adattare il profilo termico in base alla geometria specifica della camera di deposizione del film. Inoltre, è importante verificare la compatibilità dei sistemi di aspirazione e di raffreddamento. Si prevede un breve periodo di collaudo per regolare la velocità di riscaldamento e gli eventuali errori che possono verificarsi. Una volta impostato correttamente, il sistema può funzionare 24/7. Tuttavia, è importante mantenere stabile il flusso d’aria nell’ambiente pulito: eventuali cambiamenti nel flusso laminare possono causare piccole variazioni ai margini del wafer.