Supporto tecnico per il riscaldamento dei wafer

Sun, 28 Jun 2026 01:50:09 +0800

Nella fase di cottura dei wafer, è proprio in questa fase che dipende il risultato finale del processo di litografia. Una variazione di temperatura di 2°C durante la cottura può influenzare le dimensioni critiche dei wafer; inoltre, una sola particella generata durante il riscaldamento può danneggiare il wafer stesso. Abbiamo progettato un sistema di riscaldamento dei wafer per eliminare queste variazioni.

Cosa è importante dal punto di vista tecnico
Riusciamo a mantenere un’omogeneità termica a livello del wafer entro i ±0,1°C su tutto il substrato, così che ogni parte del wafer riceva lo stesso trattamento termico. Il sistema funziona in ambienti puliti di classe 1–100, senza causare l’aumento della quantità di particelle presenti nell’ambiente. Inoltre, il sistema genera zero particelle durante il processo di riscaldamento. La ripetibilità della temperatura rimane entro i ±0,2°C, il che garantisce una litografia precisa. Il sistema utilizza elementi a infrarossi a lunghezza d’onda corta per permettere un controllo preciso della velocità di riscaldamento; inoltre, la zona di riscaldamento è progettata per ridurre al minimo l’emissione di gas, così da preservare l’integrità del fotoreostato.

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Supporto tecnico per il riscaldamento dei wafer